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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Comparez
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Note globale
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Note globale
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15
14.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
36
Autour de -20% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.7
10.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
23400
17000
Autour de 1.38 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
36
30
Vitesse de lecture, GB/s
15.0
14.7
Vitesse d'écriture, GB/s
10.3
10.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
23400
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2569
2935
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB Comparaison des RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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