RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Comparez
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Note globale
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Note globale
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.6
15.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
19200
Autour de 1.33% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
33
Autour de -32% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.4
12.0
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
25
Vitesse de lecture, GB/s
17.6
15.4
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
13.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
19200
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2910
2786
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link