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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Comparez
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Note globale
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Note globale
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.6
17.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
20
33
Autour de -65% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.3
12.0
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
20
Vitesse de lecture, GB/s
17.6
17.1
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
14.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2910
3088
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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