RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Comparez
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Note globale
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
39
Autour de 15% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.6
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
10.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
21300
Autour de 1.2% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
39
Vitesse de lecture, GB/s
17.6
16.1
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
10.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
21300
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2910
2815
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB Comparaison des RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
SK Hynix HMT425U6AFR6C-PB 2GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD3-2400 8GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link