RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Comparez
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Note globale
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
37
Autour de 11% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.6
14.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
11.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
37
Vitesse de lecture, GB/s
17.6
14.8
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
11.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2910
2751
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link