RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Comparez
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Note globale
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Note globale
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
81
Autour de 56% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.8
13.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
6.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
19200
Autour de 1.11% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
36
81
Vitesse de lecture, GB/s
15.8
13.3
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
6.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
19200
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2497
1456
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link