RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Comparez
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Note globale
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
17000
Autour de 1.25% bande passante supérieure
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
36
Autour de -64% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.5
15.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.2
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
36
22
Vitesse de lecture, GB/s
15.8
17.5
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
13.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
17000
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2497
3169
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C10 8GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Kingston 9905293-040.A00LF 1GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link