RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Comparez
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB vs Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Note globale
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Note globale
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
41
99
Autour de 59% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.3
13.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.5
6.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
99
Vitesse de lecture, GB/s
13.3
13.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.5
6.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2322
1358
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB Comparaison des RAM
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Nanya Technology M2Y2G64TU8HD5B-AC 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link