RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Comparez
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Note globale
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Note globale
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
67
Autour de 66% latence réduite
Raisons de considérer
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.2
13.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.3
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
23
67
Vitesse de lecture, GB/s
13.4
16.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
8.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2269
1798
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB Comparaison des RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link