RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Comparez
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Note globale
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
42
Autour de -62% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.6
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.9
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
26
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
18.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
13.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2150
3406
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BA1339.M16F 4GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link