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Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Comparez
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Note globale
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.9
13.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
42
Autour de -45% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.6
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
29
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
13.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
10.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2150
2422
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB Comparaison des RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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