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Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Comparez
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Note globale
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Note globale
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
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Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
41
Autour de -86% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.7
14.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.4
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
22
Vitesse de lecture, GB/s
14.1
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.2
12.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2240
3174
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905599-029.A00G 4GB
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InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
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