RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Comparez
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Note globale
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Note globale
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
70
Autour de 47% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.4
7.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.7
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
70
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
7.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
1934
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link