Comparaison de la RAM Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs InnoDisk Corporation 16GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs InnoDisk Corporation 16GB

Note globale

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

37 38

Autour de 3% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

13.2 7.7

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

8.4 8.2

Valeur moyenne dans les tests

Raisons de considérer
InnoDisk Corporation 16GB

Bande passante mémoire plus élevée, mbps

17000 10600

Autour de 1.6 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

InnoDisk Corporation 16GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

2143 2163

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns