RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Comparez
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Note globale
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Note globale
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
99
Autour de 63% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.4
6.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.2
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
99
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
14.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
6.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
1499
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
OCZ OCZ2RPX8002G 2GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link