RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Comparez
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Note globale
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Note globale
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
58
Autour de 52% latence réduite
Raisons de considérer
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.3
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.2
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
8500
Autour de 3.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
58
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
16.3
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
12.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
25600
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1988
2591
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link