RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Comparez
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Note globale
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Note globale
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
29
Autour de 3% latence réduite
Raisons de considérer
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.8
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.8
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
8500
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
29
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
17.8
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
14.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
17000
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1988
3597
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Corsair VS1GSDS533D2 1GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link