RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Comparez
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Note globale
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Note globale
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
28
Autour de -12% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.2
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.6
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
8500
Autour de 2.51 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
25
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
14.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
21300
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1988
3414
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 99P5471-004.A01LF 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G133381 4GB
Kingston ACR512X64D3U13C9G 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
AMD R934G2401U1S 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link