RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Comparez
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Note globale
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
36
Autour de 22% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.7
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.7
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
8500
Autour de 2.26 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
36
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
11.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
19200
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1988
2725
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Kingston 99P5471-024.A00LF 4GB
Kingston 99P5474-037.A00LF 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link