RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Comparez
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Note globale
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
41
Autour de 32% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.0
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
8500
Autour de 3.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
41
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
18.0
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
11.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
25600
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1988
2813
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link