RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Comparez
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Note globale
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
35
Autour de 20% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.3
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.0
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
8500
Autour de 2.51 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
35
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
10.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
21300
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1988
2559
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link