RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Comparez
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Note globale
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
33
Autour de 15% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.1
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
8500
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
33
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
16.1
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
12.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
17000
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1988
3157
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB Comparaison des RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link