RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Comparez
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Note globale
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
28
Autour de -22% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.1
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.1
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
8500
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
23
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
19.1
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
17.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
17000
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1988
3666
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link