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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Comparez
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Note globale
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Note globale
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
91
Autour de 69% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.7
6.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.5
4.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
8500
Autour de 2.51 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
91
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
6.1
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
4.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
21300
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1988
1214
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaison des RAM
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Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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