RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Comparez
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Note globale
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
28
Autour de -12% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.5
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.8
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
8500
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
25
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
19.5
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
17.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
17000
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1988
3910
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link