RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Comparez
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs AMD R748G2606U2S 8GB
Note globale
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Note globale
AMD R748G2606U2S 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
61
Autour de 43% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.5
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
AMD R748G2606U2S 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15
14.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
61
Vitesse de lecture, GB/s
14.4
15.0
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
8.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2321
2028
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Corsair CMT32GX5M2X6200C36 16GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link