RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Comparez
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Note globale
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Note globale
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
94
Autour de 63% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.4
11.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.5
8.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
94
Vitesse de lecture, GB/s
14.4
11.1
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
8.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2321
1699
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB Comparaison des RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link