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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Comparez
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Note globale
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Note globale
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
35
Autour de -46% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
14.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.2
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
24
Vitesse de lecture, GB/s
14.4
16.1
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
12.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2321
2719
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
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