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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Comparez
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Note globale
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Différences
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Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
35
Autour de -21% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18
14.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.5
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
29
Vitesse de lecture, GB/s
14.4
18.0
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
14.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2321
3638
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
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