RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Comparez
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Note globale
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
35
Autour de -30% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.9
14.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.1
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
27
Vitesse de lecture, GB/s
14.4
19.9
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
17.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2321
3829
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link