RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Comparez
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Note globale
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Note globale
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
35
Autour de -25% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.5
14.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.1
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
23400
10600
Autour de 2.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
28
Vitesse de lecture, GB/s
14.4
17.5
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
16.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
23400
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2321
3758
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB Comparaison des RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link