RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Comparez
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Note globale
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Note globale
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
42
Autour de 17% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.4
11.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.5
9.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
42
Vitesse de lecture, GB/s
14.4
11.1
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
9.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2321
2551
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
A-DATA Technology AM1L16BC4R1-B1MS 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link