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Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Comparez
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Note globale
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
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Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
39
Autour de -15% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.8
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.5
7.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
34
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
14.8
Vitesse d'écriture, GB/s
7.4
11.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1770
2588
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G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
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Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
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Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
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G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
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G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
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