Comparaison de la RAM Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-S5 1GB

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-S5 1GB

Note globale

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

39 59

Autour de 34% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

7.4 1,702.8

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

10600 6400

Autour de 1.66% bande passante supérieure

Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-S5 1GB

Liste complète des spécifications techniques

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-S5 1GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Timings / Vitesse d'horloge

7-7-7-20 / 1333 MHz 5-5-5-15 / 800 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

1770 563

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns