RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Comparez
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Note globale
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
39
Autour de -3% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.8
11.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.7
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
38
Vitesse de lecture, GB/s
11.7
14.8
Vitesse d'écriture, GB/s
7.2
13.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1749
2843
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link