RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Comparez
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Note globale
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Note globale
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
46
Autour de 15% latence réduite
Raisons de considérer
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.9
11.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.8
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
46
Vitesse de lecture, GB/s
11.7
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
7.2
12.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1749
2936
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Nanya Technology NT16GC72C4NB0NL-CG 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link