RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Comparez
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Note globale
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Note globale
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
66
Autour de 41% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
11.7
7.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.2
7.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
66
Vitesse de lecture, GB/s
11.7
7.9
Vitesse d'écriture, GB/s
7.2
7.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1749
1862
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
INTENSO 5641160 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link