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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Comparez
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Note globale
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Note globale
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
17
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
56
Autour de -87% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.0
1,813.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
56
30
Vitesse de lecture, GB/s
4,387.7
17.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,813.5
15.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
693
3690
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
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Kingston 9905469-144.A00LF 4GB
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Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
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