RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Comparez
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Note globale
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
14.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
56
Autour de -56% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.5
1,813.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
56
36
Vitesse de lecture, GB/s
4,387.7
14.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,813.5
10.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
693
2760
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Comparaison des RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link