RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Comparez
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Note globale
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
56
Autour de -75% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.8
1,813.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
56
32
Vitesse de lecture, GB/s
4,387.7
15.1
Vitesse d'écriture, GB/s
1,813.5
10.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
693
2667
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Comparaison des RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-8GIS 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBZL 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Unigen Corporation U51U6411P8DU-BD1 4GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link