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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Comparez
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Note globale
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Note globale
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
56
93
Autour de 40% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.3
1,813.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
56
93
Vitesse de lecture, GB/s
4,387.7
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,813.5
8.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
693
1670
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Comparaison des RAM
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TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
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