RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Comparez
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Note globale
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Note globale
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
56
Autour de -133% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.4
1,813.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
56
24
Vitesse de lecture, GB/s
4,387.7
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
1,813.5
12.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
693
2854
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Comparaison des RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link