RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Comparez
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Note globale
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Note globale
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
19
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
56
Autour de -133% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.6
1,813.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
56
24
Vitesse de lecture, GB/s
4,387.7
19.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,813.5
17.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
693
3907
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Comparaison des RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Mushkin 991586 2GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link