RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Comparez
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Note globale
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
38
Autour de 21% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.7
10.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.4
9.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
14200
Autour de 1.2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
30
38
Vitesse de lecture, GB/s
10.9
13.7
Vitesse d'écriture, GB/s
9.1
9.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
14200
17000
Other
Description
PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2272
2471
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB Comparaison des RAM
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Samsung M393B2G70EB0-YK0 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung M379B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link