RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
32
Autour de 19% latence réduite
Raisons de considérer
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.9
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.1
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
32
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
16.9
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
13.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
3196
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Crucial Technology CT32G48C40U5.M16A1 32GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link