RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
29
Autour de 10% latence réduite
Raisons de considérer
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.4
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
29
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
14.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
3324
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link