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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
27
Autour de 4% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.8
12.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.9
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
27
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
12.2
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
15.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
3199
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
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