RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
38
Autour de 32% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.3
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.9
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
38
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
14.3
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
10.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
2638
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link