RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
26
Autour de -8% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.7
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
24
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
17.0
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
13.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
3230
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Kingston 9905403-003.B00LF 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Mushkin 994083 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link