RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
18
26
Autour de -44% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.9
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.0
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
18
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
20.9
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
17.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
3668
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link